In dieser Arbeit werden mit Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (ICPECVD)-Verfahren abgeschiedene Siliziumnitridfilme untersucht. Zur Charakterisierung wurden mehrere Parameter wie Plasmaleistung, Substrattemperatur, Depositionszeit und Verhältnis der Prozessgase variiert und anschließend die Eigenschaften der Filme untersucht und verglichen.
Die untersuchten Eigenschaften der abgeschiedenen Filme sind die deponierte Schichtdicke, die Brechzahl des Films, die Oberflächenbeschaffenheit sowie die Rauheit der Filmoberfläche. Die Brechzahl und die Schichtdicke der Filme sind mithilfe der Ellipsometrie ermittelt worden. Die Oberflächenbeschaffenheit und die Rauheit wurden mit dem Rasterkraftmikrosop untersucht.
Inhaltsverzeichnis
Symbol- und Abkürzungsverzeichnis
1 Einleitung
2 Grundlagen zum Depositionsverfahren
2.1 CVD Verfahren
2.2 Filmwachstum
2.3 Reaktoraufbau
3 Grundlagen zur Charakterisierung der Proben
3.1 Messung am Ellipsometer
3.2 Oberflächenuntersuchung am AFM
4 Probenpraparation
5 Darstellung und Diskussion der Ergebnisse
5.1 Untersuchung der Depositionsrate und der Brechzahl
5.1.1 Depositionsrate
5.1.2 Brechzahl
5.2 Topografische Aufnahmen am AFM
6 Zusammenfassung
Literatur
Abbildungsverzeichnis
Tabellenverzeichnis
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